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武漢科思特電化學(xué)工作站

武漢科思特電化學(xué)工作站

簡(jiǎn)要描述:武漢科思特電化學(xué)工作站:±2A電流范圍(可擴(kuò)展至5A,20A);±10V電壓范圍(可擴(kuò)展至50V);±21V槽壓范圍(可擴(kuò)展至200V);全浮地式測(cè)量;自由組合測(cè)試。

產(chǎn)品型號(hào): CS150H

所屬分類(lèi):武漢科思特電化學(xué)工作站

更新時(shí)間:2024-10-10

廠商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商

詳情介紹
品牌CorrTest/科思特電位精度0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)±1mV
恒電位范圍±2.0v電流范圍2nA~2AmA
電流精度0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)產(chǎn)地類(lèi)別國(guó)產(chǎn)
價(jià)格區(qū)間面議儀器種類(lèi)電化學(xué)工作站
應(yīng)用領(lǐng)域醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子恒電位控制范圍±10V
電位控制精度0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)±1mV電位靈敏度10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)
電位上升時(shí)間﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)參比電極輸入阻抗1012Ω||20pF
槽壓輸出±21V (可擴(kuò)展至±200V)CV和LSV掃描速度0.001mV~10000V/s
CA和CC脈沖寬度0.0001~65000sSWV頻率0.001~100KHz
AD數(shù)據(jù)采集16bit@1MHz,20bit @1KHzDA分辨率16bit
建立時(shí)間1μS通訊接口USB2.0
外形尺寸(cm)36.4(W)X32.0 (D)X16.0 (H)恒電流控制范圍±2.0A
電流控制精度0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)電流靈敏度1pA
電流量程2nA~2A, 共10檔最大輸出電流2.0A
電流掃描增量1mA @1A/mS電位掃描電位增量0.076mV @1V/mS
DPV和NPV脈沖寬度0.0001~1000sCV的最小電位增量0.075mV
電流與電位量程自動(dòng)設(shè)置低通濾波器8段可編程
儀器重量6.5Kg

一、產(chǎn)品介紹

武漢科思特電化學(xué)工作站采用全浮地式設(shè)計(jì),具有出色的穩(wěn)定性和度,*硬件和功能完善的軟件,為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了的科研平臺(tái)。

●應(yīng)用

(1)電合成、電沉積(電鍍)、陽(yáng)氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究;

(2)電化學(xué)分析研究;

(3)能源材料(鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和超級(jí)電容器等)、*功能材料以及傳感器的性能研究;

(4)金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià);

(5)緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。

●硬件特點(diǎn)

雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit/高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器

高帶寬高輸入阻抗的放大器

內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器

高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)

電壓控制范圍:±10V,槽壓為±21V(可擴(kuò)展至±200V)

電流控制范圍:±2.0A(可擴(kuò)展至20A)

電位分辨率:10μV,電流分辨率:1pA(可延伸至100fA)

●軟件特點(diǎn)

①數(shù)據(jù)分析

伏安曲線(xiàn)的平滑、積分和微分運(yùn)算,計(jì)算各氧化還原峰的峰電流、峰電位和峰面積等;

化曲線(xiàn)的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析,計(jì)算Tafel斜率ba,bc,腐蝕電流密度icorr,限擴(kuò)散電流、化電阻Rp和腐蝕速率等,還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算功率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。

②實(shí)時(shí)存儲(chǔ)

CS Studio實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù),即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷,中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。

③定時(shí)測(cè)量

CS Studio測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量功能,對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí),可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間,讓儀器在無(wú)人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量,為實(shí)驗(yàn)提供方便。

●技術(shù)優(yōu)勢(shì)

①化曲線(xiàn)

具有線(xiàn)性化和Tafel化曲線(xiàn)測(cè)量功能,用戶(hù)可設(shè)定循環(huán)化曲線(xiàn)的陽(yáng)回掃電流(鈍化膜擊穿電流),來(lái)確定材料的點(diǎn)蝕電位和保護(hù)電位,評(píng)價(jià)晶間腐蝕敏感性。軟件采用非線(xiàn)性擬合算法解析化曲線(xiàn),可用于材料耐蝕性和緩蝕劑性能的快速評(píng)價(jià)。

②伏安分析

能完成線(xiàn)性?huà)呙璺玻↙SV)、循環(huán)伏安(CV)、階梯伏安(SCV)、方波伏安(SWV)、差分脈沖伏安(DPV)、交流伏安(ACV)、溶出伏安等多種電分析方法,集成峰面積、峰電流計(jì)算和標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)分析功能。

③電化學(xué)噪聲

采用高阻跟隨器和零阻電流計(jì)測(cè)量腐蝕體系自發(fā)的電位與電流波動(dòng),可用于點(diǎn)蝕、電偶腐蝕、縫隙腐蝕和應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂等局部腐蝕研究。通過(guò)噪聲譜分析,可評(píng)估亞穩(wěn)態(tài)蝕點(diǎn)或裂紋的誘導(dǎo)、生長(zhǎng)和死亡過(guò)程?;谠肼曤娮韬忘c(diǎn)蝕指數(shù)計(jì)算,也可用于局部腐蝕監(jiān)測(cè)。

④功率擴(kuò)展

CS系列電化學(xué)工作站的電流控制范圍為±2.0A,槽壓輸出≥21V,可滿(mǎn)足燃料動(dòng)力電池、大功率電池充放電、電化學(xué)電解或電沉積等領(lǐng)域的需求。采用專(zhuān)用的功率擴(kuò)展器,大輸出電流可達(dá)20A,槽壓±200V。

⑤全浮地測(cè)量

CS系列電化學(xué)工作站采用全浮地式工作電,可用于工作電本身接地體系的電化學(xué)研究,如用于高壓釜電化學(xué)測(cè)試(釜體接地),大地中金屬構(gòu)件(橋梁、混凝土鋼筋)的在線(xiàn)腐蝕研究等。

⑥光電測(cè)試模塊

武漢科思特電化學(xué)工作站可以與光強(qiáng)計(jì)、分光光度計(jì)聯(lián)用,用于光電化學(xué)測(cè)量,在進(jìn)行電化學(xué)測(cè)量的同時(shí)記錄光電流或光譜響應(yīng)信號(hào)。

⑦自定義方法

支持用戶(hù)自定義組合測(cè)量,用戶(hù)可以設(shè)定定時(shí)循環(huán)進(jìn)行某一測(cè)試方法或多種方法的組合測(cè)試,用于無(wú)人值守下的定時(shí)自動(dòng)測(cè)量;

提供API通用接口函數(shù)和開(kāi)發(fā)實(shí)例,方便用戶(hù)二次開(kāi)發(fā)和自定義測(cè)試方法;

提供用戶(hù)自定義腳本編寫(xiě)范例,用于實(shí)現(xiàn)您*的電化學(xué)實(shí)驗(yàn)技術(shù)。

二、技術(shù)參數(shù)

硬件參數(shù)指標(biāo)

恒電位控制范圍:±10V

恒電流控制范圍:±2.0A

電位控制精度:0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)±1mV

電流控制精度:0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)

電位靈敏度:10μV(>100Hz),3μV(<10Hz)

電流靈敏度:1pA

電位上升時(shí)間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)

電流量程:2nA~2A,共10檔

參比電輸入阻抗:1012Ω||20pF

大輸出電流:2.0A

槽壓輸出:±21V(可擴(kuò)展至±200V)

電流掃描增量:1mA@1A/mS

CV和LSV掃描速度:0.001mV~10000V/s

電位掃描電位增量:0.076mV@1V/mS

CA和CC脈沖寬度:0.0001~65000s

DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000s

SWV頻率:0.001~100KHz

CV的小電位增量:0.075mV

AD數(shù)據(jù)采集:16bit@1MHz,20bit@1KHz

電流與電位量程:自動(dòng)設(shè)置

DA分辨率:16bit,建立時(shí)間:1μS

低通濾波器:8段可編程

通訊接口:USB2.0

儀器重量:6.5Kg

外形尺寸(cm):36.4(W)X32.0(D)X16.0(H)



配置:

1)儀器主機(jī)1臺(tái)

2)CS Studio測(cè)試與分析軟件1套

3)模擬電解池1個(gè)

4)電源線(xiàn)/USB數(shù)據(jù)線(xiàn)各1條

5)電電纜線(xiàn)1條

6)電腦(選配*)

三、功能方法

CS單通道系列不同型號(hào)功能方法比較

功能方法

CS150H

CS300H

CS310H

CS350H

穩(wěn)態(tài)化

開(kāi)路電位(OCP)

恒電位化(i-t曲線(xiàn))

恒電流化

動(dòng)電位掃描(Tafel曲線(xiàn))

動(dòng)電流掃描(DGP)

電位掃描-階躍




暫態(tài)化

任意恒電位階梯波

任意恒電流階梯波

恒電位階躍(VSTEP)

恒電流階躍(ISTEP)

計(jì)時(shí)分析

計(jì)時(shí)電位法(CP)


計(jì)時(shí)電流法(CA)


計(jì)時(shí)電量法(CC)


伏安分析

線(xiàn)性?huà)呙璺玻↙SV)

線(xiàn)性循環(huán)伏安(CV)

階梯循環(huán)伏安(SCV)



方波伏安(SWV)



差分脈沖伏安(DPV)



常規(guī)脈沖伏安(NPV)



差分常規(guī)脈沖伏安(DNPV)



交流伏安(ACV)



二次諧波交流伏安(SHACV)



傅里葉變換交流伏安(FTACV)



電流檢測(cè)

差分脈沖電流檢測(cè)(DPA)




雙差分脈沖電流檢測(cè)(DDPA)




三脈沖電流檢測(cè)(TPA)




積分脈沖電流檢測(cè)(IPAD)




溶出伏安

電位溶出分析(PSA)



線(xiàn)性?huà)呙枞艹龇玻↙SSV)



階梯溶出伏安(SCSV)



方波溶出伏安(SWSV)



差分脈沖溶出伏安(DPSV)



常規(guī)脈沖溶出伏安(NPSV)



差分常規(guī)脈沖溶出伏安(DNPSV)



交流阻抗

阻抗-頻率掃描



阻抗-時(shí)間掃描



阻抗-電位掃描(Mott-Schottky曲線(xiàn))



充放電測(cè)試

電池充放電

恒電流充放電(GCD)

恒電位充放電

恒電位間歇滴定技術(shù)(PITT)

恒電流間歇滴定技術(shù)(GITT)

雙恒測(cè)量

氫擴(kuò)散測(cè)試(HDT)





盤(pán)環(huán)電測(cè)試





擴(kuò)展測(cè)量

電化學(xué)噪聲(EN)

數(shù)字記錄儀

電化學(xué)溶解/沉積

控制電位電解庫(kù)倫法(BE)

動(dòng)電位再活化法(EPR)

溶液電阻測(cè)量

循環(huán)化曲線(xiàn)(CPP)


注:

*氫擴(kuò)散及旋轉(zhuǎn)盤(pán)環(huán)電測(cè)試需配置CS1002恒電位/恒電流儀或采用CS2350雙恒電位儀。

*光電測(cè)量功能用戶(hù)選配。

*產(chǎn)品3年質(zhì)保。




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